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太赫茲硅雪崩渡越時(shí)間二極管低溫特性研究

時(shí)間:2023-04-26 21:07:49 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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太赫茲硅雪崩渡越時(shí)間二極管低溫特性研究

本文給出了準(zhǔn)確描述硅雪崩渡越時(shí)間二極管工作特性的大信號(hào)仿真模型,研究了影響硅雪崩越時(shí)間(IMPATY,Impact Avalanche Transit Time)二極管工作狀態(tài)的離化率和飽和漂移速度,考慮Si-IMPATT二極管熱限制的條件下,計(jì)算了二極管的最大工作電流.通過(guò)大信號(hào)仿真分析,我們得到如下結(jié)果:(1)隨著溫度的降低,二極管輸出功率提高;(2)隨著溫度的降低,二極管工作頻率向高端偏移,本文還建立了液氮制冷環(huán)境下IMPATT振蕩器的測(cè)試系統(tǒng),與常溫工作相比,77K低溫環(huán)境下IMPATT二極管的輸出功率提高了47.8%,頻率也向高端偏移了6.3%,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真預(yù)測(cè)一致.

太赫茲硅雪崩渡越時(shí)間二極管低溫特性研究

作 者: 吳濤 祝大龍 徐金平 王霄 WU Tao ZHU Da-long XU Jin-ping WANG Xiao   作者單位: 吳濤,祝大龍,徐金平,WU Tao,ZHU Da-long,XU Jin-ping(東南大學(xué)毫米波國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210096)

王霄,WANG Xiao(南京電子器件研究所,南京,210016) 

刊 名: 低溫物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年,卷(期): 2008 30(3)  分類(lèi)號(hào): O51  關(guān)鍵詞: 太赫茲   硅崩越二極管   低溫   頻率特性   功率特性  

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