用偏振差分透射譜技術(shù)測(cè)量半導(dǎo)體晶體片應(yīng)力分布

利用偏振差分透射譜測(cè)量了2英寸圓形GaAs晶片、自支撐GaN襯底和藍(lán)寶石襯底等的雙折射分布,通過(guò)彈光效應(yīng)換算得到了晶片內(nèi)部殘余應(yīng)力分布.測(cè)量得到的應(yīng)力反映的是晶片各個(gè)點(diǎn)的[110]和[110]方向的應(yīng)變差.實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到的GaAs晶片和自支撐GaN 襯底的[110] 和[110]的應(yīng)變差最大可以達(dá)到10-5數(shù)量級(jí).藍(lán)寶石襯底的可以達(dá)到10-6數(shù)量級(jí).因此TDS可以對(duì)透明或者半透明晶片的應(yīng)力分布實(shí)現(xiàn)快速、實(shí)時(shí)、無(wú)損、高靈敏度檢測(cè).

作 者： 周振宇 陳涌海 ZHOU Zhen-yu CHEN Yong-hai   作者單位： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,北京,100083  刊 名： 硅酸鹽通報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2008 27(3)  分類號(hào)： O471.1  關(guān)鍵詞： 偏振差分透射譜   各向異性   內(nèi)應(yīng)力  

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