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用偏振差分透射譜技術(shù)測(cè)量半導(dǎo)體晶體片應(yīng)力分布
利用偏振差分透射譜測(cè)量了2英寸圓形GaAs晶片、自支撐GaN襯底和藍(lán)寶石襯底等的雙折射分布,通過(guò)彈光效應(yīng)換算得到了晶片內(nèi)部殘余應(yīng)力分布.測(cè)量得到的應(yīng)力反映的是晶片各個(gè)點(diǎn)的[110]和[110]方向的應(yīng)變差.實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到的GaAs晶片和自支撐GaN 襯底的[110] 和[110]的應(yīng)變差最大可以達(dá)到10-5數(shù)量級(jí).藍(lán)寶石襯底的可以達(dá)到10-6數(shù)量級(jí).因此TDS可以對(duì)透明或者半透明晶片的應(yīng)力分布實(shí)現(xiàn)快速、實(shí)時(shí)、無(wú)損、高靈敏度檢測(cè).
作 者: 周振宇 陳涌海 ZHOU Zhen-yu CHEN Yong-hai 作者單位: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,北京,100083 刊 名: 硅酸鹽通報(bào) ISTIC PKU 英文刊名: BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY 年,卷(期): 2008 27(3) 分類號(hào): O471.1 關(guān)鍵詞: 偏振差分透射譜 各向異性 內(nèi)應(yīng)力【用偏振差分透射譜技術(shù)測(cè)量半導(dǎo)體晶體片應(yīng)力分布】相關(guān)文章:
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