不同集成度SRAM硬X射線劑量增強效應(yīng)研究

給出了不同集成度16K-4Mb 隨機靜態(tài)存儲器SRAM在鈷源和北京同步輻射裝置BSRF 3W1 白光束線輻照的實驗結(jié)果;通過實驗在線測得SRAM位錯誤數(shù)隨總劑量的變化,給出相同輻照劑量時20-100keV X光輻照和Co60γ射線輻照的劑量損傷效應(yīng)的比例因子;給出集成度不同的SRAM器件抗γ射線總劑量損傷能力與集成度的關(guān)系;給出不同集成度SRAM器件的X射線損傷閾值.這些結(jié)果對器件抗X射線輻射加固技術(shù)研究有重要價值.

作 者： 郭紅霞 陳雨生 韓福斌 羅劍輝 楊善潮 龔建成 謝亞寧 黃宇營 何偉 胡天斗   作者單位： 郭紅霞,陳雨生,韓福斌,羅劍輝,楊善潮,龔建成(西北核技術(shù)研究所,西安,710024)

謝亞寧,黃宇營,何偉,胡天斗(中國科學(xué)院高能物理研究所,北京,100039) 

刊 名： 高能物理與核物理  ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS  年，卷(期)： 2003 27(12)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 靜態(tài)存儲器   X射線   劑量增強效應(yīng)   同步輻射  

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