光聲譜研究多孔碳化硅的能帶特性

報道了用UV光照射和不用UV光照射條件下形成的p型α-PSC以及原始SiC的光聲光譜(PAS).從光聲Rosenwaig-Gersho理論出發(fā),計算出多孔SiC的吸收系數(shù)與能量的關(guān)系,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙,并深入分析了能隙的變化原因,同時,對吸收邊附近的吸收情況進(jìn)行了討論.

作 者： 李宜德 杜英磊 李紀(jì)煥 吳柏枚   作者單位： 李宜德,杜英磊(中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)天文與應(yīng)用物理系,合肥,230026)

李紀(jì)煥(國立公州大學(xué)化學(xué)系,韓國,公州)

吳柏枚(中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系,合肥,230026) 

刊 名： 物理學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(5)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 光聲光譜   多孔碳化硅   能隙  

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