Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制備、性能與光伏應(yīng)用?

用共蒸發(fā)法制備了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜結(jié)構(gòu)屬立方晶系空間群F43m.通過(guò)透射光譜的測(cè)量,計(jì)算光能隙,得到室溫時(shí)薄膜的光能隙隨組分x值的變化滿足二次方關(guān)系.作為對(duì)異質(zhì)結(jié)界面的修飾,提出了有Cd1-x-ZnxTe過(guò)渡層的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe∶Cu電池.并在相同工藝下制備了CdS/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe∶Cu與CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太陽(yáng)電池,發(fā)現(xiàn)前者比后者效率平均增加了35.0%.

作 者： 邵燁 鄭家貴 蔡道林 張靜全 蔡偉 武莉莉 蔡亞平 李衛(wèi) 馮良桓   作者單位： 四川大學(xué)材料科學(xué)系,成都,610064  刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2003 24(2)  分類(lèi)號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： Cd1-xZnxTe薄膜   共蒸發(fā)法   CdTe太陽(yáng)電池   光能隙  

【Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制備、性能與光伏應(yīng)用?】相關(guān)文章：

脈沖工藝在薄膜制備中的應(yīng)用04-26

納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜04-27

感光薄膜與二維Bragg光柵制備04-27

氣相CdCl2退火對(duì)CdTe多晶薄膜性能的影響04-26

用多晶硅生產(chǎn)尾氣制備聚合氯化鋁04-26

基于小分子自組裝膜為模板的聚合物薄膜可控性制備方法04-27

射頻反應(yīng)濺射制備的ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性04-27

TiO2薄膜的溶膠-凝膠法制備及其光學(xué)特性04-26

高導(dǎo)電聚苯胺薄膜的制備及其電磁屏蔽性能的研究04-26

磁控濺射法制備氮化碳薄膜的研究進(jìn)展04-27