硅基氮化鋁薄膜的AFM和XPS分析

在Si(111)基底上利用直流磁控濺射系統(tǒng)沉積氮化鋁(AlN)薄膜,X-射線衍射分析薄膜結(jié)構(gòu)和取向,原子力顯微鏡分析薄膜表面形貌,X-射線光電子能譜分析薄膜的元素化學(xué)價態(tài)和組分.結(jié)果表明,生長的AlN薄膜具有良好的(100)擇優(yōu)取向,其半峰寬為0.3°.薄膜表面粗糙度為0.23 nm,表面均方根粗糙度為0.30 nm,z軸方向最高突起約3.25 nm.薄膜表面組分為Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化合物,深度剝蝕分析表明獲得的AlN薄膜接近其化學(xué)計量比.

作 者： 劉文 王質(zhì)武 楊清斗 衛(wèi)靜婷 LIU Wen WANG Zhi-wu YANG Qing-dou WEI Jing-ting   作者單位： 深圳大學(xué),光電子學(xué)研究所,廣東省光電子器件與系統(tǒng)重點實驗室,光電子器件與系統(tǒng)教育部重點實驗室,廣東,深圳,518060  刊 名： 壓電與聲光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： 氮化鋁   直流磁控濺射   原子力顯微鏡   X-射線光電子能譜   化學(xué)計量比  

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