PLT/PbO鐵電薄膜的制備及性能研究

采用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫濺射、后續(xù)退火條件下,以PbO為過(guò)渡層,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上制備出具有完全鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)鐵電薄膜;比較了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上有無(wú)PbO過(guò)渡層的PLT薄膜的微結(jié)構(gòu)和鐵電性能.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上增加PbO過(guò)渡層提高了PLT薄膜的相純度,并且所制備的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有優(yōu)良的介電和鐵電性能,其剩余極化強(qiáng)度Pr為21.76 μC/cm2,室溫?zé)後岆娤禂?shù)p為2.75×10-8 C/cm2·K.

作 者： 吳家剛 朱基亮 肖定全 朱建國(guó) 譚浚哲 張青磊 WU Jia-gang ZHU Ji-liang XIAO Ding-quan ZHU Jian-guo TAN Jun-zhe ZHANG Qing-lei   作者單位： 四川大學(xué),材料科學(xué)系,四川,成都,610064  刊 名： 壓電與聲光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分類(lèi)號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3   鐵電薄膜   射頻磁控濺射   剩余極化強(qiáng)度   熱釋電系數(shù)  

【PLT/PbO鐵電薄膜的制備及性能研究】相關(guān)文章：

鐵電薄膜電疲勞研究進(jìn)展04-28

高導(dǎo)電聚苯胺薄膜的制備及其電磁屏蔽性能的研究04-26

定向碳納米管薄膜的制備及其場(chǎng)發(fā)射性能的研究04-29

PBO-b-ABPBO多嵌段共聚物的制備及其性能04-27

液相電化學(xué)沉積法制備高氮含量CNx薄膜及性能的研究04-28

低壓MOCVD生長(zhǎng)TiO2薄膜結(jié)構(gòu)和電性能研究04-29

Sr摻雜鋯鈦酸鉛(PSZT)薄膜的電可調(diào)性能研究04-27

稀土摻雜BAP玻璃的制備及性能研究04-28

血污布的制備及其去污性能研究04-27

硅表面聚苯乙烯自組裝超薄膜的制備及摩擦磨損性能研究04-27