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ZnTe:Cu多晶薄膜結構和電性質(zhì)
用共蒸發(fā)法在室溫下制備了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等測試技術對樣品進行了表征,研究了摻Cu濃度和退火溫度對薄膜物相和晶粒度的影響,分析了薄膜表面的元素狀態(tài).根據(jù)銅離子的變價行為對異常的電阻率溫度關系作了解釋.并確定了最佳摻銅濃度和退火溫度.
作 者: 吳曉麗 鄭家貴 郝瑞英 馮良桓 蔡偉 蔡亞平 張靜全 黎兵 李衛(wèi) 武莉莉 WU Xiao-li ZHENG Jia-gui HAO Rui-ying FENG Liang-huan CAI Wei CAI Ya-ping ZHANG Jing-quan LI Bing LI Wei WU Li-li 作者單位: 四川大學材料科學與工程學院,成都,610064 刊 名: 功能材料與器件學報 ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES 年,卷(期): 2007 13(6) 分類號: O484 關鍵詞: ZnTe:Cu多晶薄膜 共蒸發(fā)系統(tǒng) 結構 電阻率~溫度 ZnTe:Cu polycrystalline thin films co-evaporation system structure p~T【ZnTe:Cu多晶薄膜結構和電性質(zhì)】相關文章:
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