用分子自組裝技術制備的單電子器件的Monte Carlo模擬

用分子自組裝技術制備出納米金單電子器件,并測量了其伏安特性,根據(jù)單電子系統(tǒng)的半經典理論,用Monte Carlo法對其結果進行了模擬.結果表明,模擬出的伏安曲線與實測的伏安曲線有較好的一致性,反映了模擬方法用于單電子器件研究的合理性,此外發(fā)現(xiàn),雖然單電子器件兩電極間含有眾多的納米粒子,但在低壓區(qū),其伏安特性只與少數(shù)納米粒子有關.

作 者： 王偉 黃嵐 張宇 李昌敏 張海黔 顧寧 沈浩瀛 陳堂生 郝麗萍 彭力 趙麗新   作者單位： 王偉,黃嵐,張宇,李昌敏,張海黔,顧寧(東南大學分子與生物分子電子學教育部重點實驗室,南京,210096)

沈浩瀛,陳堂生,郝麗萍(信息產業(yè)部第55研究所,南京,210016)

彭力,趙麗新(華晶電子集團公司掩模工廠,無錫,214061) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(1)  分類號： O4  關鍵詞： 單電子器件   Monte Carlo模擬,分子自組裝  

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