雙曲正割平方勢(shì)與量子阱的電子躍遷

引入了雙曲正割平方勢(shì)來(lái)描述超晶格量子阱中的電子運(yùn)動(dòng), 利用這個(gè)相互作用勢(shì)把電子的Schr?dinger方程化為了超幾何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱為例計(jì)算了電子的帶間躍遷.結(jié)果表明,阱內(nèi)的能級(jí)數(shù)目和躍遷能量與系統(tǒng)參數(shù)有關(guān).于是,可望通過對(duì)勢(shì)阱參數(shù)的控制來(lái)得到不同光電特性的量子阱材料.

作 者： 胡西多 羅詩(shī)裕 邵明珠 HU Xi-duo LUO Shi-yu SHAO Ming-zhu   作者單位： 東莞理工學(xué)院,電子工程系,廣東,東莞,523106  刊 名： 半導(dǎo)體光電  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2007 28(5)  分類號(hào)： O471.5  關(guān)鍵詞： 超晶格   量子阱   超幾何方程   單粒子能級(jí)  

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