GaAs與InP半導(dǎo)體光導(dǎo)開(kāi)關(guān)特性實(shí)驗(yàn)研究

利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)及其摻雜材料制作的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)具有很好的時(shí)間響應(yīng)及高功率輸出特性.比較了這兩種材料制作的不同電極間隙類(lèi)型的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)時(shí)間響應(yīng)速度、導(dǎo)通光能與飽和觸發(fā)激光能量、線(xiàn)性與非線(xiàn)性工作模式及觸發(fā)穩(wěn)定性等特性.結(jié)果表明,利用InP和GaAs兩種材料制作的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)都具有達(dá)到皮秒級(jí)的超快時(shí)間響應(yīng),其對(duì)時(shí)間最佳響應(yīng)與偏置電場(chǎng)有關(guān).兩種開(kāi)關(guān)的多次觸發(fā)時(shí)間抖動(dòng)在幾個(gè)皮秒范圍,輸出電壓峰峰值抖動(dòng)優(yōu)于10%.GaAs開(kāi)關(guān)的非線(xiàn)性工作電場(chǎng)閾值比InP開(kāi)關(guān)低,更容易實(shí)現(xiàn)非線(xiàn)性輸出.

作 者： 阮馳 趙衛(wèi) 陳國(guó)夫 朱少嵐 楊宏春 阮成禮 RUAN Chi ZHAO Wei CHEN Guo-fu ZHU Shao-lan YANG Hong-chun RUAN Cheng-li   作者單位： 阮馳,趙衛(wèi),陳國(guó)夫,朱少嵐,RUAN Chi,ZHAO Wei,CHEN Guo-fu,ZHU Shao-lan(中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所,瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安,710119)

楊宏春,阮成禮,YANG Hong-chun,RUAN Cheng-li(電子科技大學(xué),物理電子學(xué)院,成都,610054) 

刊 名： 光子學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA PHOTONICA SINICA  年，卷(期)： 2007 36(3)  分類(lèi)號(hào)： O472  關(guān)鍵詞： 光導(dǎo)開(kāi)關(guān)   砷化鎵   磷化銦   化合物半導(dǎo)體  

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