多孔硅鍺的制備及其近紅外發(fā)光增強

用激光照射輔助電化學刻蝕硅鍺合金樣品能夠形成多種低維納米結構.在硅鍺合金上形成的多孔狀結構在波長為725 nm處有很強的光致發(fā)光(PL)峰,PL的增強效應不能單獨用量子受限模型來解釋.我們提出新的模型來解釋這種低維納米結構的PL增強效應.

作 者： 吳克躍 黃偉其 許麗 WU Ke-yue HUANG Wei-qi XU Li   作者單位： 貴州大學理學院,物理系,光電子技術與應用重點實驗室,貴州,貴陽,550025  刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O482.31  關鍵詞： 多孔硅鍺   低維納米結構   PL增強   界面態(tài)  

【多孔硅鍺的制備及其近紅外發(fā)光增強】相關文章：

含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發(fā)光的比較研究?04-27

親水性聚合物多孔載體的制備及其性能研究04-26

用脈沖電化學法在低HF濃度下制備多孔硅的研究04-27

聚硅硫酸鋅(PZSS)絮凝劑的制備及其應用04-26

硅、鍺材料在Si(100)表面的生長研究04-27

二氧化鍺納米線的制備與喇曼光譜04-27

血污布的制備及其去污性能研究04-27

聚硅氯化鋁PASC的制備及混凝效果研究04-25

用多晶硅生產尾氣制備聚合氯化鋁04-26

異穗卷柏的顯微與近紅外光譜鑒定研究04-26