脈沖準分子激光沉積納米WO3多晶電致變色薄膜的研究

采用脈沖準分子激光大面積掃描沉積技術(shù),在不同條件下,在透明導(dǎo)電襯底SnO2:In2O)3(IIO)及Si(111)單晶襯底上沉積了非晶WOx薄膜采用X射線衍射(ⅪD)、Rmman光譜(RS)、Fourier紅外光譜(FT-IR)及透射電鏡掃描附件(STEM)對在不同條件下沉積及不同溫度退火處理的樣品進行了結(jié)構(gòu)分析.結(jié)果表明:氧氣氛和襯底溫度是決定薄膜結(jié)構(gòu)和成分的主要參數(shù)采用三斜相的WO3靶材,在100℃及20 Pa氧壓下沉積,經(jīng)300℃以上退火處理,在Si(111)及IIO襯底上得到了二斜相的納米晶WO3薄膜隨著氧壓的減少,薄膜中氧缺位增多采用lT)基片,氧壓20)Pa,經(jīng)300℃熱處理的薄膜,呈多晶態(tài),晶粒分布均勻,晶粒平均尺寸為20～30 nn經(jīng)400℃熱處理的薄膜,呈多晶態(tài),晶界明顯,晶粒分布呈開放型多孔結(jié)構(gòu),晶粒平均尺寸為30～50 Bm這一典型的結(jié)構(gòu)有利于離子的注入和抽出.

作 者： 方國家 劉祖黎 周遠明 姚凱倫   作者單位：   刊 名： 硅酸鹽學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2001 29(6)  分類號： O484:O433  關(guān)鍵詞： 二氧化鎢薄膜   納米晶   脈沖準分子激光沉積   ]工藝條件   結(jié)構(gòu)分析  

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