硅、鍺材料在Si(100)表面的生長研究

利用掃描隧道顯微鏡和超高真空實(shí)驗(yàn)裝置系統(tǒng)進(jìn)行了Si(100)表面生長Si,Ge的實(shí)驗(yàn)研究.分析了所生成表面的形貌、結(jié)構(gòu)等物理性質(zhì).研究表明:Si在Si(100)表面的同質(zhì)生長可以形成納米結(jié)構(gòu)薄膜.Ge在Si(100)表面生長形成規(guī)則的三維小島.而在Si/Ge/Si(100)多層膜上生長則形成大小二種三維島.研究表明大島具有Ge/Si/Ge的殼層結(jié)構(gòu).

作 者： 汪雷 唐景昌 楊德仁 王學(xué)森 胡艷芳   作者單位： 汪雷,唐景昌,楊德仁(浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,浙江大學(xué)物理系,杭州,310027)

王學(xué)森,胡艷芳(香港科技大學(xué)物理系,香港九龍清水灣,復(fù)旦大學(xué)物理系,上海,200433) 

刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(2)  分類號： O484.1 O472+.1  關(guān)鍵詞： 鍺   硅   掃描隧道顯微鏡  

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