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摻鑭鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究
采用基于密度泛函理論的相對論性離散變分和嵌入團(tuán)簇方法計(jì)算了摻鑭PbWO4晶體中相對缺陷的電子態(tài)密度分布,并討論了相關(guān)缺陷的電荷補(bǔ)償機(jī)制.發(fā)現(xiàn)VPb是摻鑭鎢酸鉛晶體中主要的電荷補(bǔ)償方式.缺陷態(tài)LaPb+VPb的態(tài)密度分布以及其激發(fā)能的計(jì)算結(jié)果表明:摻鑭晶體不會引起420nm和350nm的吸收,改善了PbWO4晶體中的兩個本征吸收帶.摻雜后晶體中O2p→W5d的躍遷能量為3.98eV.
作 者: 姚明珍 顧牡 作者單位: 同濟(jì)大學(xué)物理系,上海,200092 刊 名: 人工晶體學(xué)報(bào) ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年,卷(期): 2002 31(5) 分類號: O77 關(guān)鍵詞: La:PbWO4 密度泛函 吸收中心 態(tài)密度分布【摻鑭鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究】相關(guān)文章:
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