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反激變換器副邊同步整流控制器STSR3應(yīng)用電路詳解
摘要:為大幅度提高小功率反激開關(guān)電源的整機效率,可選用副邊同步整流技術(shù)取代原肖特基二極管整流器。它是提高低壓直流輸出開關(guān)穩(wěn)壓電源性能的最有效方法之一。關(guān)鍵詞:反激變換器;副邊同步整流控制器STSR3;高效率變換器
2.7 預(yù)置時間(tant)防止原邊和副邊共態(tài)導(dǎo)通
實現(xiàn)同步整流的一個主要難題,是確?刂艻C送出的驅(qū)動信號正確無誤,以?止在副邊的同步整流器與原邊開關(guān)管之間出現(xiàn)交叉的“共態(tài)導(dǎo)通”。其示意圖可見圖16中波形。當(dāng)原邊MOSFET導(dǎo)通時,圖16中電壓Vs傾向于負(fù)極性。如果副邊同步MOSFET關(guān)斷時帶有一些延遲,那么在原邊和副邊之間就會出現(xiàn)一個短路環(huán)節(jié)。為了避免這種不希望的情況發(fā)生,在原邊MOSFET導(dǎo)通之前,同步MOSFET必須是截止的,這表明有必要設(shè)置一定量的“預(yù)置”時間tant。
圖17給出了詳細(xì)展開的正常工作情況時,CK時鐘信號與OUTGATE輸出驅(qū)動信號之間的定時關(guān)系圖。芯片內(nèi)部的定時tant提供了所需要的預(yù)置時間,從而避免了共態(tài)導(dǎo)通的出現(xiàn)。按表1的供電條件使用腳SETANT,tant有三種不同的選擇值。在腳SETANT外接電阻分壓器供電,可得到表1中所需的該腳電壓值和預(yù)置時間。
芯片內(nèi)的數(shù)字控制單元產(chǎn)生這些預(yù)置時間,是通過計算在開關(guān)周期之中包含的高頻脈沖數(shù)目來完成的。由于該系統(tǒng)具有數(shù)字性能,在計數(shù)過程中會丟失一些數(shù)位,從而導(dǎo)致輸出驅(qū)動信號中發(fā)生跳動。表1中的預(yù)置時間值是一個平均值,考慮了這種跳動因素。圖18給出了OUTGATE關(guān)斷期間的跳動波形。
2.8 空載與輕載工作狀態(tài)
當(dāng)占空比<14%時,STSR3的內(nèi)部特性能使OUTGATE關(guān)閉,并且切斷芯片內(nèi)部大多數(shù)電路供電,從而減小器件的功耗。在這種條件下,變換器的低輸出電流,是由同步MOSFET的體二極管來完成的。當(dāng)占空比>18%時,IC再次起動,所以具有4%的滯后量。當(dāng)原邊的PWM控制器在極輕輸出負(fù)載下發(fā)生突發(fā)狀態(tài)時,這種特性仍能維持STSR3系統(tǒng)正確工作。
輸出驅(qū)動器具有承受大電流的能力,源極峰值達(dá)2A,加散熱器后可達(dá)3A。因此同步MOSFET開關(guān)極快,允許并聯(lián)幾只MOSFET以減小導(dǎo)通損耗。在供電期間的高電平是Vcc,所以芯片只驅(qū)動具有邏輯電平柵極門限的MOSFET。
2.9 瞬態(tài)特征及實測波形
在負(fù)載發(fā)生大變化時,占空比可在幾個開關(guān)周期里從低值極快地變?yōu)楦咧担粗嗳。但OUTGATE給出的預(yù)置時間,是根據(jù)計算開關(guān)周期(頻率),而非依據(jù)占空比。即使在占空比快速變化時,它也能正確地提供預(yù)置時間,從而始終為同步MOSFET提供正確的驅(qū)動。圖19給出了占空比在一個周期里從50%變成80%,隨即又返回50%時的測量波形。圖20給出了OUTGATE正確提供的預(yù)置時間,從圖中看到是131ns。
2.10 同步整流控制器STSR3的典型應(yīng)用電路圖
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