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IPM驅(qū)動和保護電路的研究
摘要:介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅(qū)動和保護電路的設(shè)計方法,并給出了一個驅(qū)動和保護電路的設(shè)計實例。關(guān)鍵詞:IGBT(絕緣柵雙極性晶體管) IPM(智能功率模塊) PIC(功率集成電路)
智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫,是一種先進的功率開關(guān)器件,具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點,以及MOSFET(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路,使用起來方便,不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間,也大大增強了系統(tǒng)的可靠性,適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC),在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。本文以三菱公司PM100DSA120為例,介紹IPM的基本特性,然后著重介紹IPM的驅(qū)動和保護電路的設(shè)計。
1 IPM的基本工作特性
1.1 IPM的結(jié)構(gòu)
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成,如圖1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。
IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
1.2 IPM內(nèi)部功能機制
IPM的功能框圖如圖2所示。IPM內(nèi)置驅(qū)動和保護電路,隔離接口電路需用戶自己設(shè)計。
IPM內(nèi)置的驅(qū)動和保護電路使系統(tǒng)硬件電路簡單、可靠,縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間,也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比,IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進一步的提高。
保護電路可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動作,IGBT柵極驅(qū)動單元就會關(guān)斷門極電流并輸出一個故障信號(FO)。各種保護功能具體如下:
(1)控制電壓欠壓保護(UV):IPM使用單一的+15V供電,若供電電壓低于12.5V,且時間超過toff=10ms,發(fā)生欠壓保護,封鎖門極驅(qū)動電路,輸出故障信號。
(2)過溫保護(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個溫度傳感器,當(dāng)IPM溫度傳感器測出其基板的溫度超過溫度值時,發(fā)生過溫保護,封鎖門極驅(qū)動電路,輸出故障信號。
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