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一種新型的IGBT短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
摘要:提出了一種直接檢測(cè)IGBT發(fā)生短路故障的方法,在詳細(xì)分析IGBT短路檢測(cè)原理的基礎(chǔ)上給出了相應(yīng)的IGBT短路保護(hù)電路。仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果均證明該電路工作穩(wěn)定可靠,能很好地對(duì)IGBT實(shí)施有效的保護(hù)。關(guān)鍵詞:IGBT 短路保護(hù) 電路設(shè)計(jì)
固態(tài)電源的基本任務(wù)是安全、可靠地為負(fù)載提供所需的電能。對(duì)電子設(shè)備而言,電源是其核心部件。負(fù)載除要求電源能供應(yīng)高質(zhì)量的輸出電壓外,還對(duì)供電系統(tǒng)的可靠性等提出更高的要求。
IGBT是一種目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件?開關(guān)頻率高?廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。但如果控制不當(dāng),它很容易損壞。一般認(rèn)為IGBT損壞的主要原因有兩種:一是IGBT退出飽和區(qū)而進(jìn)入了放大區(qū)?使得開關(guān)損耗增大;二是IGBT發(fā)生短路,產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流,從而使IGBT損壞。IGBT的保護(hù)通常采用快速自保護(hù)的辦法?即當(dāng)故障發(fā)生時(shí),關(guān)斷IGBT驅(qū)動(dòng)電路,在驅(qū)動(dòng)電路中實(shí)現(xiàn)退飽和保護(hù);或者當(dāng)發(fā)生短路時(shí),快速地關(guān)斷IGBT。根據(jù)監(jiān)測(cè)對(duì)象的不同?IGBT的短路保護(hù)可分為Uge監(jiān)測(cè)法或Uce監(jiān)測(cè)法?二者原理基本相似?都是利用集電極電流IC升高時(shí)Uge或Uce也會(huì)升高這一現(xiàn)象。當(dāng)Uge或Uce超過(guò)Uge?sat?或Uce?sat?時(shí),就自動(dòng)關(guān)斷IGBT的驅(qū)動(dòng)電路。由于Uge在發(fā)生故障時(shí)基本不變,而Uce的變化較大?并且當(dāng)退飽和發(fā)生時(shí)?Uge變化也小?難以掌握?因而在實(shí)踐中一般采用Uce監(jiān)測(cè)技術(shù)來(lái)對(duì)IGBT進(jìn)行保護(hù)。本文研究的IGBT保護(hù)電路,是通過(guò)對(duì)IGBT導(dǎo)通時(shí)的管壓降Uce進(jìn)行監(jiān)測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT的保護(hù)。
采用本文介紹的IGBT短路保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)快速保護(hù),同時(shí)又可以節(jié)省檢測(cè)短路電流所需的霍爾電流傳感器,降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。實(shí)踐證明,該電路有比較大的實(shí)用價(jià)值,尤其是在低直流母線電壓的應(yīng)用場(chǎng)合,該電路有廣闊的應(yīng)用前景。該電路已經(jīng)成功地應(yīng)用在某型高頻逆變器中。
1 短路保護(hù)的工作原理
圖1(a)所示為工作在PWM整流狀態(tài)的H型橋式PWM變換電路(此圖為正弦波正半波輸入下的等效電路,上半橋的兩只IGBT未畫出),圖1(b)為下半橋兩只大功率器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)和相關(guān)的器件波形,F(xiàn)以正半波工作過(guò)程為例進(jìn)行分析(對(duì)于三相PWM電路,在整流、逆變工作狀態(tài)或單相DC/DC工作狀態(tài)下,PWM電路的分析過(guò)程及結(jié)論基本類似)。
在圖1所示的電路中,在市電電源Us的正半周期,將Ug2.4所示的高頻驅(qū)動(dòng)信號(hào)加在下半橋兩只IGBT的柵極上,得到管壓降波形UT2?D。其工作過(guò)程分析如下:在t1~t2時(shí)刻,受驅(qū)動(dòng)信號(hào)的作用,T2、T4導(dǎo)通(實(shí)際上是T2導(dǎo)通, D4處于續(xù)流狀態(tài)),在Us的作用下通過(guò)電感LS的電流增加,在T2管上形成如圖1(b)中UT2?D所示的按指數(shù)規(guī)律上升的管壓降波形,該管壓降是通態(tài)電流在IGBT導(dǎo)通時(shí)的體電阻上產(chǎn)生的壓降;在t2~t3時(shí)刻,T2、T4關(guān)斷,由于電感LS中有儲(chǔ)能,因此在電感LS的作用下,二極管D2、D4續(xù)流,形成圖1(b)中UT2.D的陰影部分所示的管壓降波形,以此類推。分析表明,為了能夠檢測(cè)到IGBT導(dǎo)通時(shí)的管壓降的值,應(yīng)該將在t1~t2時(shí)刻IGBT導(dǎo)通時(shí)的管壓降保留,而將在t2~t3時(shí)刻檢測(cè)到的IGBT的管壓降的值剔除,即將圖1(b)中UT2.D的陰影部分所示的管壓降波形剔除。由于IGBT的開關(guān)頻率比較高,而且存在較大的開關(guān)噪聲,因此在設(shè)計(jì)采樣電路時(shí)應(yīng)給予足夠的考慮。
圖2 IGBT短路保護(hù)電路原理圖
根據(jù)以上的分析可知,在正常情況下,IGBT導(dǎo)通時(shí)的管壓降Uce(sat)的值都比較低,通常都小于器
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